โฟโตไดโอด PIN InGaAs 1 มม. TO46

ภาพรวมผลิตภัณฑ์-1 มม. InGaAs PIN โฟโตไดโอด TO46

โฟโตไดโอด PIN InGaAs ขนาด 1 มม. (รุ่น BPD-1STO46B-FW) จาก Box Optronics เป็นเครื่องตรวจจับแสง InGaAs ประสิทธิภาพสูงที่ออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชันการตรวจจับอินฟราเรดใกล้ (NIR) ด้วยโครงสร้างไดโอด PIN ซึ่งจะแปลงพลังงานแสงตกกระทบในช่วงความยาวคลื่น 900–1650 นาโนเมตรให้เป็นโฟโตปัจจุบันตามสัดส่วนที่มีความเชิงเส้นและความไวสูง มีพื้นที่ใช้งานเส้นผ่านศูนย์กลาง 1 มม. โฟโตไดโอดบรรจุในกระป๋องโลหะ TO46 สุญญากาศพร้อมหน้าต่างแสงแบบแบน โฟโตไดโอดมีความทนทานทางกล ทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพที่มั่นคงภายใต้เงื่อนไขทางอุตสาหกรรมและห้องปฏิบัติการที่มีความต้องการสูง คุณลักษณะเหล่านี้ทำให้เป็นตัวเลือกที่ยอดเยี่ยมสำหรับการตรวจสอบพลังงานแสง การวัดการทดสอบใยแก้วนำแสง การตรวจจับด้วยเลเซอร์ และสเปกโทรสโกปี NIR

คุณสมบัติที่สำคัญ - โฟโตไดโอด InGaAs PIN ขนาด 1 มม. TO46

• เส้นผ่านศูนย์กลางพื้นที่ใช้งาน: 1 มม. เพื่อการรวบรวมแสงที่มีประสิทธิภาพ

• ช่วงการตอบสนองสเปกตรัมกว้าง: 900 นาโนเมตรถึง 1650 นาโนเมตร

• การตอบสนองสูง: 0.9A/W โดยทั่วไปที่ 1310nm, 0.95A/W ที่ 1550nm

• กระแสไฟมืดต่ำเป็นพิเศษ ความจุทางแยกต่ำ

• ความน่าเชื่อถือสูงและความมั่นคงในระยะยาว

• แพ็คเกจโลหะหน้าต่างแบนสุญญากาศ TO46

• การกำหนดค่า TO-CAN มาตรฐานเพื่อให้ติดตั้งได้ง่าย

การใช้งานทั่วไป - 1 มม. InGaAs PIN โฟโตไดโอด TO46

• มิเตอร์วัดพลังงานแสงและโมดูลตรวจสอบพลังงานแสง

• อุปกรณ์ทดสอบและวัดไฟเบอร์ออปติก

• การตรวจจับสัญญาณออปติคอลและการตรวจสอบพลังงานในระบบโทรคมนาคม

• สเปกโทรสโกปีอินฟราเรดใกล้ (NIR) และเครื่องมือวิเคราะห์

• ระบบตรวจสอบและควบคุมกำลังเลเซอร์

• การสอบเทียบและลักษณะเฉพาะของตัวลดทอนแสง

• การวิจัยและพัฒนาในห้องปฏิบัติการโฟโตนิกส์

• การรวมโมดูลออปติคัลและการพัฒนาระบบย่อยโฟโตนิก

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค-1 มม. InGaAs PIN โฟโตไดโอด TO46

พิกัดสูงสุดสัมบูรณ์ (TC = 25°C)

ลักษณะทางไฟฟ้าและแสง (TC = 25°C)

รายละเอียดสินค้า-1 มม. InGaAs PIN โฟโตไดโอด TO46

โฟโตไดโอด InGaAs PIN คืออะไร

โฟโตไดโอด PIN ของ InGaAs เป็นเครื่องตรวจจับเซมิคอนดักเตอร์ความไวสูงที่ออกแบบมาสำหรับการตรวจจับด้วยแสงช่วงใกล้อินฟราเรด (NIR) ขึ้นอยู่กับโครงสร้างเซมิคอนดักเตอร์ P-I-N โดยจะแปลงโฟตอนที่ตกกระทบเป็นโฟโตปัจจุบันที่มีความเป็นเส้นตรงและมีเสถียรภาพที่ดีเยี่ยม

โฟโตไดโอด InGaAs ทำงานตั้งแต่ 900 นาโนเมตรถึง 1700 นาโนเมตร ให้การตอบสนองสูงทั่วทั้งย่านความถี่การสื่อสารแบบออปติกและภูมิภาค SWIR ทำให้เหมาะสำหรับการทดสอบใยแก้วนำแสง การตรวจสอบพลังงานแสง สเปกโทรสโกปี และแอปพลิเคชันการตรวจจับ

พื้นที่แอคทีฟ 1 มม. ให้ความสามารถในการรวบรวมแสงที่ได้รับการปรับปรุงและความทนทานต่อการเชื่อมต่อที่ดีขึ้น ให้ความสมดุลที่ยอดเยี่ยมระหว่างความไว ความยืดหยุ่นในการจัดตำแหน่ง และความเร็วการตรวจจับ

จุดเด่นด้านประสิทธิภาพ-โฟโตไดโอด PIN InGaAs ขนาด 1 มม. TO46

• การตอบสนองสูงและประสิทธิภาพควอนตัม

• กระแสมืดต่ำมาก

• ความจุต่ำและการตอบสนองที่รวดเร็ว

• การครอบคลุมสเปกตรัมกว้าง

• แพ็คเกจสุญญากาศ TO46

ขนาดแพ็คเกจและคำจำกัดความของพิน - 1 มม. โฟโตไดโอด InGaAs PIN TO46

ประเภทบรรจุภัณฑ์:TO46 Hermetic Metal Can, Flat Window (TO-CAN 3-pin)

เส้นผ่านศูนย์กลางกระป๋อง: φ5.4 ± 0.2 มม. (ด้านนอก), φ4.7 ± 0.1 มม. (ด้านใน)

เส้นผ่านศูนย์กลางหน้าต่าง: φ3.9 ± 0.1 มม

การกำหนดค่าพิน (มุมมองด้านล่าง):พิน 1 = แอโนด (ด้าน P), พิน 2 = เคส (GND), พิน 3 = แคโทด (ด้าน N)

ข้อมูลการสั่งซื้อ

ศัพท์เฉพาะรุ่น

BPD - X X ถึง XX - X - X

ตัวอย่าง: BPD-1STO46B-FW

เอกสารข้อมูล-1 มม. InGaAs PIN โฟโตไดโอด TO46

เอกสารข้อมูล

เวลานำ

• หน่วยมาตรฐาน (รุ่นในสต็อก): 3~5 วันทำการ

• การผลิตมาตรฐาน: 10~15 วันทำการ

• สั่งจำนวนมาก: กรุณาติดต่อเพื่อสอบถามกำหนดการผลิต

• การจัดส่งระหว่างประเทศ: ~5 วันทำการ (DHL/UPS/FedEx ด่วน)

• บริการเร่งด่วน: มีให้บริการตามคำขอ

หมายเหตุการดำเนินงานและการจัดการ-1 มม. InGaAs PIN โฟโตไดโอด TO46

• โฟโตไดโอดเป็นอุปกรณ์ที่ไวต่อการปล่อยประจุไฟฟ้าสถิต (ESD) — ควรใช้การป้องกัน ESD ที่เหมาะสมเสมอ

• หลีกเลี่ยงการสัมผัสสายวัดโดยตรงด้วยมือเปล่าเพื่อป้องกันการปนเปื้อนและความเสียหายจาก ESD

• เก็บอุปกรณ์ที่ไม่ได้ใช้ไว้ในบรรจุภัณฑ์หรือถาดนำไฟฟ้าที่ปลอดภัยต่อ ESD เพื่อป้องกันความเสียหายจากการปล่อยประจุไฟฟ้าสถิต